MT53E768M16D1ZW-046 WT:C

IC DRAM 12GBIT PAR 200TFBGA

制造商: Micron Technology Inc. 数量: 0 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
MT53E768M16D1ZW-046 WT:C
封装:
-
包装:
Tray
描述:
IC DRAM 12GBIT PAR 200TFBGA

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
工作温度 -25°C ~ 85°C
内存类型 Volatile
内存接口 Parallel
写入周期时间 - 字,页 -
内存格式 DRAM
内存容量 12Gbit
时钟频率 2.133 GHz
封装 / 外壳 200-TFBGA
供应商器件封装 200-TFBGA (10x14.5)
技术 SDRAM - Mobile LPDDR4X
电压 - 供电 1.06V ~ 1.17V
存储器结构 768M x 16