HYB25D512800CE-6

IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II

制造商: Qimonda 数量: 0 RoHS 状态: 支持

基础信息

零件编号:
HYB25D512800CE-6
封装:
-
包装:
Tape & Reel (TR)
描述:
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II

产品参数

零件状态 Discontinued at
安装类型 Surface Mount
工作温度 0°C ~ 70°C (TA)
可编程 Not Verified
内存类型 Volatile
内存接口 Parallel
写入周期时间 - 字,页 -
电压 - 供电 2.3V ~ 2.7V
时钟频率 166 MHz
内存容量 512Mbit
存储器结构 64M x 8
内存格式 DRAM
技术 SDRAM - DDR
封装 / 外壳 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供应商器件封装 66-TSOP II